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从东沃GPS接口浪涌静电保护方案设计图可知，东沃电子技术从两个方面进行浪涌静电防护：一个是对内馈直流电源进行浪涌防护，另一个是对射频信号进行防护。一级电源防护，东沃技术推荐选用半导体放电管P0080SC，用于吸收雷击或大浪涌电流。馈电部分防护选用单向瞬态抑制TVS二极管SMBJ6.0A和肖特基二极管B0520W，可有效保护后端LDO芯片免受浪涌的冲击。二级信号接口选用东沃推出的ESD静电保护二极管DW05DLC-B-S，工作电压5V、低钳位电压18.3V、低漏电流1uA。
JTAG接口是一类下载程序的接口，而且也是一类经常带电拔插的接口。众所周知，带电拔插会不可避免地产生一些浪涌或ESD静电放电，为此，如果不采取一些防护措施，极易因为浪涌ESD静电放电而击穿JTAG相关引脚，甚至损害CPU内部核心器件，从而造成内部电路的永久性损坏。针对JTAG接口浪涌静电问题，东沃电子技术设计了保护方案图并推荐了对应型号的保护器件。
从东沃NB-IoT天线ESD静电浪涌保护电路图可知，针对NB-IoT模块天线端口静电浪涌问题，东沃电子技术推荐选用ESD静电保护二极管DWMB3313D1，对天线上的瞬间冲击脉冲和静电放电（ESD）起到有效的保护作用。东沃DWMB3313D1采用双向设计、工作电压3.3V、峰值脉冲电流5A、钳位电压6V、漏电流0.2μA、可承受35W（8/20us）的峰值脉冲功率；0.5pF低结电容，确保高速信号的完整性；DFN0603-2小型化封装，节省PCB面积，提高空间利用率；符合IEC 61000-4-2（静电）
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