100M百兆POE接口防浪涌静电保护方案，看完就明白了

100M百兆POE接口防浪涌防静电保护方案有很多，接下来要分享的是TVS瞬态电压抑制二极管5.0SMDJ58CA、SMCJ58CA和ESD静电保护二极管DW03DLC-B在100M百兆POE接口防护方案中的应用，具体方案图如下：

从方案图中可以看出，选用了TVS二极管5.0SMDJ58CA和SMCJ58CA为100M百兆POE接口防浪涌过电压，选用了ESD二极管DW03DLC-B免受静电的伤害。5.0SMDJ58CA、SMCJ58CA、DW03DLC-B具体参数详情如下：

1）TVS二极管5.0SMDJ58CA，双向贴片

峰值脉冲功率：5000 W
峰值脉冲电流：53.42 A
最小击穿电压：64.4 V
最大击穿电压：71.2 V
工作电压：58 V
钳位电压：93.6 V
漏电流：5 uA
封装形式：SMC/DO-214AB

2）TVS二极管SMCJ58CA，双向贴片

峰值脉冲功率：1500 W
峰值脉冲电流：16.03 A
最小击穿电压：64.4 V
最大击穿电压：71.2 V
工作电压：58 V
钳位电压：93.6 V
漏电流：1 uA
封装形式：SMC/DO-214AB

3）ESD二极管DW03DLC-B，双向贴片

峰值脉冲功率：350 W
最小击穿电压：4.0 V
工作电压：3.3 V
钳位电压：7.0 V
漏电流：1 uA
封装形式：SOD-323
结电容：1pF

想了解更多有关100M百兆POE接口防浪涌防静电保护方案和电路保护器件5.0SMDJ58CA、SMCJ58CA、DW03DLC-B产品参数、手册、应用等，可随时关注和咨询我们：136 7581 6901（微信同号）朱工

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