I/O接口ESD静电浪涌防护方案
发表日期:2020-06-13来源:www.dowosemi.cn浏览:2315
东沃电子设计的I/O接口ESD静电浪涌防护方案,如下图:
从I/O接口ESD静电浪涌防护方案图中可以看出,选用了东沃自主研发、生产、销售的TVS二极管阵列DW05D5-B(SOD-523封装)、DW05DPF-B(0402封装),浪涌能力:IEC61000-4-5 1.2/50μs-8/20μs 42Ω 500V;ESD:IEC61000-4-2 4级,接触放电:8KV,空气放电:15KV。针对I/O接口ESD静电浪涌防护,有很多设计保护方案。具体选用哪种,还需要结合电路的保护需求来决定。
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