过电压保护元器件性能对比分析，工程师必知

从上图中，可以可以看出，各类过电压保护器件中陶瓷气体放电管GDT为通流量最大的器件，东沃电子（DOWOSEMI）单体器件能做到100kA（8/20μs）。GDT的导通为气体电离形成导电通道，需要较大的能量去激发它，有一个能量累积的过程，因此GDT的响应时间是所有过电压保护器件中最慢的一个。GDT的优点是结电容低，绝缘阻抗大，可用于高速通信线路防雷保护，如同轴电缆，电话线接口，高清视频接口、以太网口等。
 
压敏电阻的通流量仅次于GDT，响应速度为纳秒级，广泛应用于交流电源线，低频信号线的防雷保护。东沃压敏电阻单体通流量可以做到70kA（8/20μs ），压敏电压可做到 1800V。压敏电阻是由氧化锌和其他金属氧化物采用材料混合及高温烧结的工艺制成的多晶半导体材料，其晶格结构决定了它在应用过程中长期开关容易老化。而GDT 和玻璃放电管SPG具有较大的绝缘阻抗，在AC 输入端，常常和 MOV 串联到共模地来应用，以减缓 MOV 的老化。
 
超大功率TVS二极管hyperfix，比如蓝宝宝浪涌抑制器，它采用大面积芯片叠加制成，比普通的TVS二极管功率大几十甚至几百倍，可直接替代MOV应用于交流输入端口的第一级防雷保护。它具有通流量大、响应速度快、无老化、钳位电压低等优点，适用于对防护器件要求较高的应用场合，如通信电源、飞机、火车等领域。
 
半导体放电管TSS是一种具有负阻特性的浪涌保护器件，由于其特殊的PN-PN结结构设计，在相同的芯片面积上，TSS可以做到比同尺寸及电压的TVS通流量大几倍，而电容比同规格的TVS小几倍，可以用于一些通信线路的浪涌保护，如 RS485、RS232、 CAN 总线等。TSS 具有较高的性价比，是低速通信线路浪涌防护的理想选择。

TVS瞬态抑制二极管是单PN结或多个PN结集成在一起的器件，具有反应速度快、钳位电压低、电压精度高等优点。TVS一般采用贴片或插件封装，体积较小，常应用于直流电源线或低速通信线路的浪涌防护。

ESD静电保护二极管是专门设计的防静电保护元器件，由多个二极管或TVS组合而成的具有特定线路布局的TVS阵列，其导通时间较TVS慢一些。静电放电一般为纳秒级的脉冲，破坏力相对较小，所以ESD器件的芯片晶粒面积也较小，可以做到小型微型化封装。通过电路结构设计，ESD 器件结电容最小可以做到零点几个皮法，适用于高速数据线路的ESD防护，如 HDMI、USB3.0、IEEE1394 等。

作为国内专业的电路保护元件厂商，东沃电子（DOWOSEMI）能为客户提供高性价比的过电压保护元器件及解决方案。东沃技术根据每种过电压保护器件的性能特点，取长补短搭配选用，始终为客户提供最优的电路保护解决方案。竭诚欢迎广大客户前来了解和咨询：136 7581 6901（微信同号）朱经理