TVS二极管阵列DW08DLC-B-S，为电信端口保驾护航

东沃电子推出的TVS二极管阵列DW08DLC-B-S，采用紧凑型SOD-323封装、符合AEC-Q101标准。该系列产品经过优化，可保护敏感的电信端口免因静电放电 (ESD) 和雷击感应浪涌而受损。DW08DLC-B-S瞬态抑制TVS二极管阵列集成了低电容控向二极管和一个（单向保护）或两个（双向保护）雪崩击穿二极管，可安全吸收高达30A浪涌电流和至少±30kV ESD，且不会出现性能减退。同时，TVS二极管阵列DW08DLC-B-S具有低负载电容(3.0pF)和高浪涌防护能力，是保护以太网等电信端口和其他高速数据接口的理想选择。

DW08DLC-B-S系列瞬态抑制二极管阵列应用在10/100/1000以太网、T1/E1/T3/E3.、USB 1.1/2.0、电源端口、仪表 、医疗设备、计算机和外围设备等领域中。DW08DLC-B-S系列瞬态抑制二极管阵列将8V断态电压与低动态电阻相结合，支持在较高电压条件下运行的G.Fast。DW08DLC-B-S直通型设计能最大限度地减少信号失真和电压过冲，并简化印刷电路设计。

DW08DLC-B-S系列瞬态抑制二极管阵列具有下列突出优势：
• 8V标称断态电压支持更高的工作电压，这对高速接口而言是一个越来越重要的考虑因素。
• 低寄生电容（标称值为3.0pF）允许适量的带宽来启用高速以太网接口。
• 极低的动态电阻（标称值为0.4Ω）有助于确保在ESD事件中作出最快的响应。

DW08DLC-B-S系列瞬态抑制二极管阵列提供SOD-323卷带封装，可通过厂家东沃电子索取样品！