手机V-charge端口ESD和EOS防护方案整改

针对手机V-charge端口防护，有客户反馈，使用单颗12V静电ESD保护二极管（有客户习惯把ESD二极管称为TVS）作为端口浪涌防护器件，浪涌测试后，系统开机失败。为了解决这个现象，客户特意向杭州东沃电子（DOWOSEMI）请教这个问题，并希望能够提出意见并整改好好这个方案。经过失效分析结果显示，ESD二极管和后级IC均有损坏点。实验室复现失效，器件表面塑封体熔融，器件内部芯片呈现较大区域烧毁点，确定为长时间过电压导致失效。

针对这个现象，东沃电子FAE工程师提出了解决方法和整改方案，具体详情如下：

1）受测设备：手机；

2）测试标准：IEC61000-4-5，1.2/50-8/20us，2Ω，EOS 350V, DC 24V；

3）解决方法：更换24V 静电ESD保护二极管器件作为端口浪涌防护器件，并搭载型号为WP3116的OVP器件，浪涌测试等级可至350V浪涌等级测试，同时满足DC 24V直流耐压测试； 

4）整改后优势：更换浪涌防护等级更高的24V静电ESD保护二极管器件进行浪涌防护，同时残余能量被后级OVP吸收。测试直流耐压时，静电ESD保护二极管不动作，OVP进行过压关断，从而起到更好保护。