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Solution
? 方案满足IEC61000-4-5、GBT17626.5等浪涌测试标准; ? 在差模防护中,采用钳位器件压敏电阻MOV,响应速度快,降低L与N线之间的浪涌电压; ? 在共模防护中,采用压敏电阻MOV和陶瓷气体放电管GDT串联到PCB地或者设备外壳,阻止压敏电阻MOV的漏电流,满足安规要求; ? 电源方案可通过1.2/50-8/20μS组合波差模、共模6.0KV浪涌测试; PS:在有绝缘等级耐压测试AC1500V要求时,陶瓷气体放电管GDT建议选用DC3500V电压;
? 选用一颗半导体放电管TSS,并联与信号线与地线之间; ? 后级选用R2作为退藕和限流电阻,电阻建议封装0805/1206,阻值范围0ohm-20ohm,具体阻值视视频图像质量而定; ? 半导体放电管TSS结电容小,不影响数据传输,体积小、节约成本、残压低; ? 满足IEC61000-4-5、GBT17626.5等浪涌标准,最高可承受10/700μS(40ohm)6.0KV,具体耐压等级与TSS选型有关系;
? 前端选用通流量大的陶瓷气体放电管GDT,泄放大电流; ? 中间选用PTC做退藕,让前端GDT更容易动作,达到泄放电流作用; ? 后端选用响应速度快的TVS二极管,残压低,能够有效保护RS485/232芯片; ? 方案满足IEC61000-4-2、GBT17626.2等静电标准及IEC61000-4-5、GBT17626.5等浪涌标准; ? 方案在差模,共模均选用的是同型号的TVS和GDT,防护无死角;
? 选用残压很低的半导体放电管TSS,有效保护RS485/232芯片,可满足IEC61000-4-5、GBT17626.5等浪涌标准; ? 方案中的半导体放电管TSS反应速度为ns级,既可防浪涌,又可防静电,可满足IEC61000-4-2、GBT17626.2等静电标准; ? 方案中的半导体放电管TSS结电容小,信号无衰减,不影响控制线的传输; ? 方案在差模,共模均采用的是同型号的半导体放电管TSS,防护无死角; ? 可通过10/700μS(等效内阻40ohm)浪涌测试,静电测试;
Recommendation
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